特點(diǎn):

1.獲得美國(guó)專利技術(shù)的MOS多光束技術(shù)（二維激光陣列）

2.采用真空和低壓氣體保護(hù)，可進(jìn)行溫度范圍-100~1200°C（多種溫度范圍可選）的變溫測(cè)量

3.樣品快速熱處理和冷處理功能

4.溫度閉環(huán)控制保證極佳的溫度均勻性和精度

5.實(shí)時(shí)的應(yīng)力、曲率VS溫度曲線

6.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描

7.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應(yīng)力成像分析

8.測(cè)量功能：曲率、曲率半徑、薄膜應(yīng)力、薄膜應(yīng)力分布和翹曲等

9.氣體（氮?dú)?、氬氣和氧氣等?span lang="EN-US">Delivery系統(tǒng)

10.可采用泵入液氮冷卻,較大冷卻速率100°C/min

應(yīng)用:

TST用于全球科研或者生產(chǎn)企業(yè)中薄膜原位應(yīng)力監(jiān)測(cè)和控制。

TST應(yīng)用于金屬薄膜，介電薄膜、濾光片膜、平板玻璃、300mm半導(dǎo)體集成電路板、薄膜電池、MBE和MOCVD薄膜制備和退火過(guò)程的熱應(yīng)力監(jiān)控等領(lǐng)域。